多晶硅料是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈最基礎(chǔ)的核心原材料，由冶金級(jí)硅（純度98-99%）經(jīng)過(guò)化學(xué)提純工藝制成。這種銀灰色金屬光澤的顆粒狀物質(zhì)（粒徑5-15mm）通過(guò)改良西門子法或硅烷法將純度提升至99.9999%以上（6N級(jí)），其特殊的晶體結(jié)構(gòu)包含大量尺寸在微米級(jí)的晶粒，這些晶粒的無(wú)序排列形成了區(qū)別于單晶硅的典型特征。

在光伏應(yīng)用中需要重點(diǎn)關(guān)注多晶硅料的關(guān)鍵指標(biāo)，特別是體電阻率（0.5-3Ω·cm）、碳含量（＜1ppm）以及金屬雜質(zhì)總含量（＜0.1ppm）。不同于電子級(jí)多晶硅對(duì)微觀缺陷的嚴(yán)苛要求，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（SOG-Si）更注重降低硼磷等特定雜質(zhì)的濃度，這是因?yàn)槲⒘侩s質(zhì)會(huì)直接影響最終光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率（通常17-19%）。目前主流生產(chǎn)工藝采用流化床反應(yīng)器（FBR）或棒狀多晶硅（RS）技術(shù)，前者能耗可低至30kWh/kg，較傳統(tǒng)工藝降低60%以上。

多晶硅料的市場(chǎng)供需呈現(xiàn)明顯周期性波動(dòng)，這與光伏裝機(jī)容量增長(zhǎng)和硅料產(chǎn)能投放節(jié)奏密切相關(guān)。值得注意的工藝進(jìn)步是最近發(fā)展的顆粒硅技術(shù)，其直徑1-3mm的球形顆?？芍苯佑糜谥崩瓎尉t，省去破碎環(huán)節(jié)的同時(shí)還能提升坩堝填充密度（可達(dá)75%）。隨著N型電池技術(shù)普及，對(duì)多晶硅料的品質(zhì)要求正從太陽(yáng)能級(jí)向電子級(jí)靠攏，特別是對(duì)氧含量（＜5ppm）和少數(shù)載流子壽命（＞500μs）提出了更高標(biāo)準(zhǔn)。