導(dǎo)電銅箔是一種以高純度銅為原料制成的片狀導(dǎo)電材料，其純度通常達(dá)到99.9%以上（Cu≥99.9%）。這種特殊處理的銅材經(jīng)過(guò)壓延工藝形成厚度在3μm至105μm之間的超薄金屬箔，表面經(jīng)過(guò)粗化處理后呈現(xiàn)獨(dú)特的毛面結(jié)構(gòu)。在電子工業(yè)領(lǐng)域，導(dǎo)電銅箔因其優(yōu)異的導(dǎo)電性（電阻率≤0.0165Ω·mm2/m）和延展性（延伸率≥3%）成為不可替代的基礎(chǔ)材料。

需要特別關(guān)注的是導(dǎo)電銅箔在印刷電路板(PCB)制造中的核心作用。作為電子元器件的信號(hào)傳輸載體，其表面粗糙度Ra值控制在0.3-0.8μm范圍內(nèi)，這種微觀結(jié)構(gòu)能確保與基材的良好結(jié)合力。隨著5G通信和新能源汽車的發(fā)展，高頻高速銅箔（傳輸損耗≤0.8dB/inch@10GHz）和超薄銅箔（厚度≤6μm）的需求量正在快速增長(zhǎng)，這要求銅箔必須具備更穩(wěn)定的介電性能（Dk≤3.5@1MHz）。

導(dǎo)電銅箔的生產(chǎn)工藝主要包括電解法和壓延法兩種。電解銅箔（ED銅箔）通過(guò)電解沉積形成，具有成本優(yōu)勢(shì)但力學(xué)性能稍遜；而壓延銅箔（RA銅箔）經(jīng)熱軋-冷軋多道工序制成，其抗拉強(qiáng)度可達(dá)350MPa以上。近年來(lái)復(fù)合銅箔技術(shù)取得突破，采用高分子材料（如PET）為基材的復(fù)合銅箔在保持導(dǎo)電性的同時(shí)，重量減輕了60%以上，這為消費(fèi)電子產(chǎn)品輕薄化提供了新的解決方案。

在材料特性方面，優(yōu)質(zhì)導(dǎo)電銅箔需要同時(shí)滿足多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)。除了基本導(dǎo)電性能外，抗剝離強(qiáng)度（≥0.8N/mm）和耐熱性（288℃焊錫測(cè)試不剝離）決定其在高溫環(huán)境下的可靠性。創(chuàng)新型的低輪廓銅箔（LP銅箔）通過(guò)特殊結(jié)晶工藝，使表面結(jié)晶粒徑控制在5μm以內(nèi)，這種微觀結(jié)構(gòu)能顯著減少高頻信號(hào)傳輸時(shí)的趨膚效應(yīng)損耗。

隨著電子設(shè)備向高頻化、小型化發(fā)展，導(dǎo)電銅箔也在持續(xù)演進(jìn)。納米孿晶銅箔通過(guò)控制晶體取向，使導(dǎo)電率提升15%的同時(shí)強(qiáng)度增加50%；而石墨烯復(fù)合銅箔則利用二維材料的高遷移率特性，將高頻傳輸損耗降低30%。這些新型導(dǎo)電材料正在推動(dòng)從智能手機(jī)到衛(wèi)星通信等各領(lǐng)域的技術(shù)革新，預(yù)計(jì)到2025年全球高端銅箔市場(chǎng)規(guī)模將突破150億美元。