三氧化二銦作為重要的透明導(dǎo)電氧化物材料，根據(jù)生產(chǎn)工藝和應(yīng)用場景的不同主要可分為粉末狀和薄膜狀兩大類。粉末狀三氧化二銦（In?O?）常見于實(shí)驗(yàn)室研究和工業(yè)原料領(lǐng)域，其純度通?？蛇_(dá)到4N（99.99%）至6N（99.9999%）不等，粒徑分布從納米級（10-100nm）到微米級（1-10μm）均有應(yīng)用，特別是在制備濺射靶材和傳感器材料時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注顆粒均勻性。

薄膜形態(tài)的三氧化二銦更具技術(shù)含量，包括磁控濺射法制備的ITO薄膜（摻錫氧化銦）和化學(xué)氣相沉積法制備的本征氧化銦薄膜。其中ITO薄膜的電阻率可低至10??Ω·cm級別，可見光透過率超過85%（波長550nm處測量），是目前觸摸屏和液晶顯示器的主流材料。而通過脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)獲得的高質(zhì)量氧化銦薄膜，因其優(yōu)異的電學(xué)性能常用于制備高性能晶體管。

從晶體結(jié)構(gòu)維度來看，三氧化二銦存在立方相（C型）和六方相（H型）兩種晶型。立方相是最穩(wěn)定的存在形式，空間群為Ia3（206號），晶格常數(shù)約10.117?；六方相則屬于亞穩(wěn)態(tài)，通常需要在特殊條件下制備，這種晶型在氣敏傳感器領(lǐng)域表現(xiàn)出更優(yōu)越的性能響應(yīng)。研究還發(fā)現(xiàn)通過摻雜不同元素（如Sn、Zn、Mo等）可以制備出具有梯度能帶結(jié)構(gòu)的氧化銦材料。

在特殊應(yīng)用領(lǐng)域，三氧化二銦還存在多孔結(jié)構(gòu)、納米線陣列等特殊形貌分類。多孔氧化銦的比表面積可達(dá)150m2/g以上，在催化領(lǐng)域效果顯著；而垂直生長的氧化銦納米線陣列（直徑20-200nm）因其獨(dú)特的電子傳輸特性，成為新型太陽能電池和光電探測器的理想選擇。這些特殊結(jié)構(gòu)往往需要通過模板法或水熱法等精細(xì)控制工藝來制備。