三碲化二銦(In?Te?)作為重要的Ⅲ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，其加工工藝需要兼顧晶體結(jié)構(gòu)特性和電學(xué)性能要求。首先需要通過(guò)真空封管法或氣相輸運(yùn)法生長(zhǎng)單晶，特別是采用布里奇曼法(溫度梯度5-10℃/cm)時(shí)要注意控制Te蒸氣分壓以防止組分偏離。在切割環(huán)節(jié)推薦使用金剛石線鋸(線徑0.1-0.2mm)配合乙二醇冷卻液，這種組合能有效減少晶格損傷。

表面處理階段需要重點(diǎn)關(guān)注化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的參數(shù)優(yōu)化，通常采用含0.5%溴甲醇的拋光液(pH值8.5-9.2)搭配聚氨酯拋光墊，既能獲得原子級(jí)平整表面又不會(huì)引入過(guò)多缺陷。對(duì)于需要制作器件的樣品，電子束蒸發(fā)(基板溫度150-180℃)比磁控濺射更有利于保持化學(xué)計(jì)量比，特別是沉積電極時(shí)需要控制速率在0.5?/s以下。

熱處理工藝對(duì)材料性能影響顯著，在氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行400-450℃退火(時(shí)間30-60分鐘)可有效消除加工應(yīng)力并提升載流子遷移率(可達(dá)150cm2/V·s)。值得注意的是，所有加工環(huán)節(jié)都應(yīng)在潔凈室(Class 1000級(jí)以下)中完成，因?yàn)镮n?Te?表面對(duì)氧污染極為敏感，暴露在空氣中超過(guò)2小時(shí)就會(huì)形成氧化層。

最新研究表明，采用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)配合原位退火能夠?qū)崿F(xiàn)分子層級(jí)的精確控制，激光能量密度控制在1-1.5J/cm2時(shí)可在藍(lán)寶石襯底上獲得最優(yōu)的(111)取向外延薄膜。對(duì)于需要圖形化的器件，反應(yīng)離子刻蝕(CF?/O?混合氣體)比濕法腐蝕更能保持側(cè)壁陡直度，關(guān)鍵尺寸可控制在±5nm以內(nèi)。